Transistor ad effetto di campo (FET)

Il transistor ad effetto di campo (FET) è un tipo di transistor composto da un semiconduttore drogato in cui sono presenti 4 terminali.  I terminali sono materiali conduttori che collegano il transistor al circuito esterno e sono due gate, il drain e il source.
Il transistor FET è in grado di creare e variare un campo elettrico all'interno di un circuito in modo da farne variare l'intensità di corrente.

STRUTTURA E FUNZIONAMENTO

I 4 terminali del transistor sono semiconduttori drogati in cui il gate è attaccato a uno strato di silicio drogato il cui drogaggio è opposto alla regione di canale (semiconduttore centrale del transistor).

Quando è applicata una tensione tra il gate e il source si crea una differenza di potenziale. Questa differenza causa uno spostamento delle cariche elettriche dal source verso il drain se il canale è drogato N. Se il canale è drogato P allora il movimento delle cariche è dal drain al source.

Al variare della tensione applicata al gate varia il flusso delle cariche e di conseguenza la corrente all'interno del circuito. In questo modo si può controllare l'intensità di corrente del circuito.

La tensione minima applicabile al gate si chiama tensione di soglia V_S. La tensione tra gate e source si indica con V_GS, invece quella tra drain e source si indica con V_DS.

Il transistor è acceso quando sono soddisfatti i seguenti requisiti:

V_GS > V_S

V_DS > V_GS - V_S