E' composto da tre strati di semiconduttore drogato in cui il semiconduttore centrale ha drogaggio opposto agli altri due.
Quindi ci sono due tipi di transistor BJT in base alle giunzioni; uno in cui i due semiconduttori agli estremi sono drogati P e quello centrale è drogato N o il contrario.
Nel transistor a giunzione bipolare lo strato centrale è meno drogato degli altri per evitare che gli elettroni ritornino al punto di partenza (questo fenomeno è detto ricombinazione).
Ad ogni strato di semiconduttore è associato un conduttore (terminale) che li collega al circuito. Il terminale centrale è detto base mentre quelli ai lati sono l'emettitore e i collettore. Ad ognuna di questi terminali è associata una corrente.
iE = corrente dell'emettitore
iB = corrente della base
iC = corrente del collettore
Dal movimento di elettroni tra collettore ed emettitore si avrà che alcune lacune del collettore rimarranno vuote. Queste lacune vuote rappresentano la carica del collettore che sarà dunque di poco inferiore rispetto alla carica dell'emettitore di un fattore a.
iC = -aiE
Dalle leggi di Kirchoff:
iE + iB + iC = 0
Unendo le due equazioni si ottiene:
iC(1 - a) = aiB